G1002
Número de pieza:
G1002
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-23-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 250mOhm @ 2A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 535 pF @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.3W (Tc)