G180C06Y
Número de pieza:
G180C06Y
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
- Configuración N and P-Channel, Common Drain
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252-4
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tc), 60A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
- Potencia - Máx 69W (Tc), 115W (Tc)