G18NP06Y
Número de pieza:
G18NP06Y
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
- Configuración N and P-Channel, Common Drain
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252-4
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
- Potencia - Máx 45W (Tc), 50W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V