G1K1P06LH
Número de pieza:
G1K1P06LH
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-23-3
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.1W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 970 pF @ 30 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 110mOhm @ -3A,- 10V