G20N06D52
Número de pieza:
G20N06D52
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 20A, 10V
- Potencia - Máx 48W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (4.9x5.75)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1326pF @ 30V