G2K2P10S2E
Número de pieza:
G2K2P10S2E
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23nC @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 200mOhm @ 3A, 10V
- Potencia - Máx 3.1W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1623pF @ 50V