G2K3N10L6

G2K3N10L6

Número de pieza: G2K3N10L6
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Goford Semiconductor
Descripción: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa SOT-23-6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A (Tc)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Proveedor Dispositivo Paquete SOT-23-6L
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 220mOhm @ 2A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
  • Potencia - Máx 1.67W (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 536pF @ 50V