G33N03D3
Número de pieza:
G33N03D3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 30A 8DFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (3x3)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 16A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 837pF @ 15V
- Potencia - Máx 13W (Tc)