G35N02K
Número de pieza:
G35N02K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 35A TO-252
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 40W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Vgs (Máx.) ±12V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.2V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1380 pF @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V