G3F25MT06L-TR
Número de pieza:
G3F25MT06L-TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
650V 20M TO-LL G3F SIC MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 455W (Tc)
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Vgs (Máx.) +22V, -10V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 125A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 27.5mOhm @ 35A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 15mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 108 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2939 pF @ 400 V