G3F75MT12K
Número de pieza:
G3F75MT12K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
1200V 75M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 127W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 48 nC @ 18 V
- Vgs (Máx.) +22V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 12A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 9mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 988 pF @ 800 V