G700P06D3
Número de pieza:
G700P06D3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18A 32W 70m(max)
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 32W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (3.15x3.05)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1446 pF @ 30 V