G7N80F
Número de pieza:
G7N80F
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 7A 45W TO-220F
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 45W (Tc)
- Vgs (Máx.) ±30V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1184 pF @ 400 V