G80N03T
Número de pieza:
G80N03T
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 90A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2150 pF @ 15 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 53.4W (Tc)