GANB4R8-040CBAZ
Número de pieza:
GANB4R8-040CBAZ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 125°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 1mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Vgs (Máx.) 40V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Ta)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Paquete / Carcasa 22-UFBGA, WLCSP
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 10A, 5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15.8 nC @ 5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 887 pF @ 20 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 13W (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete 22-WLCSP (2.1x2.1)