GANE3R9-150QBAZ
Número de pieza:
GANE3R9-150QBAZ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20 nC @ 5 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A (Ta)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Máx.) +6V, -4V
- Paquete / Carcasa 25-PowerVFQFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 65W (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200 pF @ 75 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 30A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 12mA
- Proveedor Dispositivo Paquete 25-VQFN (4x6)