GC041N65QF
Número de pieza:
GC041N65QF
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 500W (Tc)
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 43mOhm @ 20A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7668 pF @ 400 V