GC085N65QF
Número de pieza:
GC085N65QF
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 76 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.6V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 21.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2350 pF @ 400 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 299W (Tc)