GC20N65M
Número de pieza:
GC20N65M
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180m(
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 151W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1680 pF @ 400 V