GC210N80FE
Número de pieza:
GC210N80FE
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 800 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6)
- Disipación de Potencia (Máx.) 51W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerSMD, Flat Leads
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 210mOhm @ 8.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200 pF @ 380 V