GCMX010A120B2B1P
Número de pieza:
GCMX010A120B2B1P
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 214A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 12mOhm @ 100A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 40mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 476nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13100pF @ 800V
- Potencia - Máx 750W (Tc)