GCMX010A120B3H1P
Número de pieza:
GCMX010A120B3H1P
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 20V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 201A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 40mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 428nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10900pF @ 800V
- Potencia - Máx 600W (Tc)