GCMX015A170S1-E1
Número de pieza:
GCMX015A170S1-E1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
SIC MOSFET MOD
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa SOT-227-4, miniBLOC
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-227
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 123A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700 V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 100A, 20V
- Disipación de Potencia (Máx.) 652W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 40mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 430 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 12803 pF @ 1.2 kV