GCMX020A120B2H2P
Número de pieza:
GCMX020A120B2H2P
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 102A (Tc)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 20mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 50A, 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5600pF @ 800V
- Potencia - Máx 333W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 237nC @ 20V