GCMX020A120B2T1P
Número de pieza:
GCMX020A120B2T1P
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 20mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 40A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 235nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6200pF @ 800V
- Potencia - Máx 263W (Tc)