GCMX080A120B2H2P

GCMX080A120B2H2P

Número de pieza: GCMX080A120B2H2P
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: SemiQ
Descripción: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Embalaje: Box
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Proveedor Dispositivo Paquete -
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Paquete / Carcasa Module
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 27A (Tc)
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 10mA
  • Tecnología Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
  • Potencia - Máx 119W (Tc)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 58nC @ 20V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1400pF @ 800V