GE04MPS06E-TR
Número de pieza:
GE04MPS06E-TR
Clasificación de productos:
Tipos de diodos rectificadores
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación - Unión -55°C ~ 175°C
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Corriente - Promedio Rectificado (Io) 12A
- Tecnología SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 0 ns
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252-2
- Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If 1.35 V @ 4 A
- Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.) 650 V
- Corriente - Fuga Inversa @ Vr 5 µA @ 650 V
- Capacitancia @ Vr, F 186pF @ 1V, 1MHz