GE12050EEA3
Número de pieza:
GE12050EEA3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
GE Aerospace
Descripción:
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa Module
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Potencia - Máx 1250W
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 475A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 475A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 160mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1248nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 29300pF @ 600V