GE12160CEA3
Número de pieza:
GE12160CEA3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
GE Aerospace
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa Module
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.425kA (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 475A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 480mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3744nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90000pF @ 600V
- Potencia - Máx 3.75kW