GE17045EEA3
Número de pieza:
GE17045EEA3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
GE Aerospace
Descripción:
SIC 6N-CH 1700V 425A MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa Module
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Potencia - Máx 1250W
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700V (1.7kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 425A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 160mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.45mOhm @ 425A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1207nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 29100pF @ 900V