GE17140CEA3

GE17140CEA3

Número de pieza: GE17140CEA3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: GE Aerospace
Descripción: SIC 2N-CH 1700V 1275A MODULE
Embalaje: Bulk
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Calificación AEC-Q101
  • Paquete / Carcasa Module
  • Proveedor Dispositivo Paquete Module
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
  • Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Tecnología Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700V (1.7kV)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 480mA
  • Potencia - Máx 3.75kW
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.275kA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3621nC @ 18V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 82nF @ 600V