GP3T040A120H
Número de pieza:
GP3T040A120H
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
SemiQ
Descripción:
GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 62A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 10mA
- Disipación de Potencia (Máx.) 246W (Tc)
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 108 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2803 pF @ 1000 V