GSFQ1916
Número de pieza:
GSFQ1916
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
Descripción:
MOSFET, N+P, DUAL, 3 -2.2A, 100
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A (Tc), 2.2A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.9V @ 250µA, 2.7V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 13.4nC @ 10V, 20nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 821pF @ 50V, 1280pF @ 50V
- Potencia - Máx 2.3W (Tc)