GSFT4R010
Número de pieza:
GSFT4R010
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
Descripción:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 140 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263 (D2PAK)
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.9V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8200 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 208W (Ta)