GT023N10Q
Número de pieza:
GT023N10Q
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Disipación de Potencia (Máx.) 250W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 121 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 226A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8488 pF @ 50 V