GT040N04T
Número de pieza:
GT040N04T
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A 96W 4M(MAX)
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs (Máx.) 20V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 96W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 30A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2794 pF @ 20 V