GT042P06M
Número de pieza:
GT042P06M
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 160A 280W 4.5M(M
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 280W (Tc)
- Vgs (Máx.) 20V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 305 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9389 pF @ 30 V