GT045N10D5
Número de pieza:
GT045N10D5
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A 180W 5.0m
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 180W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (4.9x5.75)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4217 pF @ 50 V