GT048N10T
Número de pieza:
GT048N10T
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 110A 150W 4.8M
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 150W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 110A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3220 pF @ 50 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V