GT100P06D5
Número de pieza:
GT100P06D5
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 104W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 47 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSMD, Flat Leads
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3700 pF @ 30 V