GT110N06SH
Número de pieza:
GT110N06SH
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1050 pF @ 30 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8A, 10V