GT180P08D5
Número de pieza:
GT180P08D5
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 78A 178W 18M(MAX
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Vgs (Máx.) 20V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 178W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 78A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 62.1 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (4.9x5.75)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6998 pF @ 40 V