GT2K0P20M
Número de pieza:
GT2K0P20M
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 19A 138W TO-263
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263
- Disipación de Potencia (Máx.) 138W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 200mOhm @ 15A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3400 pF @ 100 V