GT2K6P15S
Número de pieza:
GT2K6P15S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 150V -2A 1.8W SOP-8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 250mOhm @ 2A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1400 pF @ 75 V