GT700P08D3
Número de pieza:
GT700P08D3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 16A 69W 75m(max)
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 16A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 250µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 69W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (3.15x3.05)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1591 pF @ 40 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2A, 10V