GT700P08K
Número de pieza:
GT700P08K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 20A 125W 75m(max
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Disipación de Potencia (Máx.) 125W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1615 pF @ 40 V