GT750P10K
Número de pieza:
GT750P10K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 24A 79W TO-252
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 24A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 79W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 20A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1940 pF @ 50 V