GT800N10D3
Número de pieza:
GT800N10D3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 7.5A 19W DFN3*3
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 205 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 19W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (3.15x3.05)