H5N2519P-E
Número de pieza:
H5N2519P-E
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Descripción:
NCH POWER MOSFET 250V 65A 35MOHM
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Last Time Buy
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 250 V
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4900 pF @ 25 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 65A
- Disipación de Potencia (Máx.) 150W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 35mOhm @ 32.5A, 10V