H5N6001P-E
Número de pieza:
H5N6001P-E
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Descripción:
NCH POWER MOSFET 600V 20A 380MOH
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Last Time Buy
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Disipación de Potencia (Máx.) 150W (Tc)
- Temperatura de Operación 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600 V
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Vgs (Máx.) ±30V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 380mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4640 pF @ 25 V